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本发明属于测高分子膜厚度的前处理方法。X射线衍射测量有机膜和高分子膜厚度时，样品必须是晶体；X射线光电子能谱测量膜的厚度时，受到样品和仪器条件的限制；扫描电镜测量膜的厚度时，受到样品制备的限制；椭偏仪测量膜厚度时，受到标准模型选择的制约。本发明将旋涂在硅片上的待测样品膜用铜薄把膜遮挡住一部分，以双面胶带将铜薄和样品膜粘合，然后将露出部分用氩离子进行剥离，氩离子枪的束能3~10千伏，聚焦电压3~8千伏，束流3~20微安，剥离后将铜薄去掉，本发明提供的方法将样品处理后，避免了目前测量的各种条件限制，具有非常好的直观性。 |
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